| 网站首页 | 下载中心 | 雁过留声 | 电子入门 | 电子制作 | 家电影音 | 卫星电视 | 电子网址 | 电子资料 | 
Google
 
您现在的位置: 电子爱好者 >> 电子入门 >> 元件电路 >> 半导体元件 >> 正文 用户登录 新用户注册
专 题 栏 目

最 新 热 门
最 新 推 荐
相 关 文 章
晶体管基础知识
晶体管检测经验谈
晶体管的选用经验谈
晶体二极管的工作原理与…
二极管和稳压管的区别
硅双向触发二极管参数
晶体管代换原则
几种用晶体二极管组成的…
关于晶体管和电子管检波…
晶体管交直流参数对电路…

[组图]晶体二极管的结构、特性与参数         ★★★
晶体二极管的结构、特性与参数
发布者:imefan 文章来源:本站原创 点击数: 更新时间:2008-2-4 14:07:35
阻碍多子的扩散运动;有利于少子的漂移运动。

  在PN结开路(无外加电压)时,多子的扩散运动与少子漂移运动最终将达到动态平衡,此时扩散电流等于漂移电流,这时PN结呈现为中性。动态平衡后的这个特殊区域称:空间电荷层、势垒区、阻挡层、高阻区。

  阻挡层:指阻挡多数载流子的扩散运动;耗尽层:指PN结内的载流子被耗尽。

五、偏置PN结

 1.正偏:

  P(+) N(-),外加电压的电场方向与PN结内建电场方向相反,P、N区的多子各自返回耗尽层,从而使PN结厚度变薄。多子的扩散运动将重新被大大增加。而少子的漂移被削弱,漂移电流远远小于扩散电流。此时,正向电流近似为多子的扩散电流。

 2.反偏:

  P(-) N(+),此时,外加电场与内电场方向一致。P、N区内的多子各自向二头运动,使得空间电荷区厚度变厚。从而阻止了多子的扩散运动,扩散电流大大减小。而有利于少子的漂移运动。这时流过PN结的电流主要为漂移电流。少子浓度很低,因此反向电流很小,通常可以略去;另外,在一定的温度下,热激发产生的少子浓度一定,与外加电压无关,故又称反向饱和电流。

  可见,PN结有一个十分突出的性质,正偏时PN结正向导电,有较大电流流过;反偏时PN结截止,流过PN结的反向电流很小。PN结的单向导电性!

六、二极管分类(由PN结的结构决定)

七、二极管的伏安特性与参数

 1. 伏安特性

  正向特性:OA:死区;开启电压:Vth;AB:近似指数规律;BC:近似恒压源;导通电压为Von,二极管正向导电路时,通常要工作在这个区-线性区。

  在理想条件下,二极管两端电压和电流关系为:,其中,IS:反向饱和电流,VT:电压的温度当量,室温下VT26mV。

正偏时,,则:

  说明,正向电流大约每增加10倍,二极管两端电压只增加60mV。

 2.击穿特性

  当

上一页  [1] [2] [3] [4] 下一页

文章录入:imefan    责任编辑:ImEfan 
  • 上一篇文章:

  • 下一篇文章:
  • 【字体: 】【发表评论】【加入收藏】【告诉好友】【打印此文】【关闭窗口