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[图文]绝缘栅型场效应管的检测         ★★★ 【字体:
绝缘栅型场效应管的检测
作者:imefan    文章来源:网络    点击数:    更新时间:2008-4-24    

  ③交换黑笔与红笔的位置,万用表所指示的电阻值基本不变,说明此时MOS管的D-S极已经导通。当前万用表所指示的电阻值近似为D-S极导通电阻RDS(on)。因测试条件所限,这里得到的RDS(on)值往往比手册中给出的典型值偏大。

  对于图4所示的。MOS管,因G-S间保护二极管的存在,万用表指针在接近零刻度位置后,将自动回复到电阻∞位置。

 5.放大能力(跨导)的估测

  判断NMOS管跨导性能时,选择万用表的R×10kΩ电阻挡,此时表内电压较高。对于垂直沟道的VMOS管(如2SJ353),用R×1kΩ挡即可完成所有的测试功能。

  将万用表红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,相当于在D-S之间加上一个9V的电压。此时栅极开路,当用手指或镊子接触栅极G并停顿几秒时,指针会缓慢地偏转到满刻度的1/3~1/2处。指针偏转角度越大,MOS管的跨导值越高。如果被测管的跨导很小,用此法测试时指针偏转幅度很小。

二、特殊小功率MOS管的测试

  图3所示MOS管在目前使用较广,典型器件如NMOS型的IRF740、IRF830、PMOS型的IRF9630等。图4所示的MOS管以NMOS型居多,2SKl548、FS3KMl6A为这类MOS器件的典型代表。此外,还有一类比较特殊的MOS管,这类MOS管的栅极G在并联保护二极管的同时还集成有一只电阻,结构如图11所示。

       

  图11所示的MOS管在小功率器件中采用较多,如常见的2SK1825。这类NMOS管与前述两种MOS管的测试方法区别较大,正确的测试步骤如下:

 1.切换到万用表的R×1kΩ挡,将黑笔与某只引脚相接,红笔分别与其余两只引脚相接进行阻值测量,若两次测试过程中指针均出现较大幅度的偏转,则与黑笔相连的管脚即为源极S。这主要是由于MOS管内部集成有两只保护二极管的缘故。

 2.为了区分漏极D与栅极G,接下来可参考NPN三极管集电极C与发射极E的识别程序进行测试:

  ①假设剩余管脚中的某一只为漏极D并将其与黑笔相接,红笔则接假设的栅极G;

  ②用手指捏住假设的栅极G与漏极D,观察指针的偏转情况。若指针偏转幅度较大,则与黑笔相接的管脚即为漏极D,与红笔相接的则为栅极,测试原理如图12所示。

三、型号不明的MOS管的测量

  PMOS管的测量原则和方法与NMOS管类似,在测量过程中应注意将表笔的顺序颠倒。

  但是,对于型号不明的MOS管,通过检测单向导电性往往只能判断出其中哪一只管脚为栅极,而不能直接识别管子的极性和D、S极。对此,合理的测试方法如下:

 1、万用表取R×1kΩ挡,在观察到单向导电性之后,交换两只表笔的位置;

 2、将万用表切换至R×10kΩ挡,保持黑笔不动,将红笔移到栅极G停留几秒后再回到原位,若指针出现满偏,则该元件为PMOS管,且黑笔所接管脚为源极S、红笔所接为漏极D;

 3、若第2步指针没有发生大幅度偏转,则保持红笔位置不变,将黑笔移到栅极G停留几秒后回到原位,若指针满偏则管子类型为NMOS,黑笔所接管脚为漏极D、红笔所接为源极S。

  MOS管的种类较多,测试方法也不尽相同,实际工作中需要在充分掌握上述测试原则的基础上灵活地选择合适的测试方法。

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